MMBT4401WT1G, Транзистор биполярный BJT 40 В 150мВт 100 при 150 мА, 1 В 600 мА 250 МГц 750 мВ при 500 мА, 50 мА NPN -55°C+150°C@(Tj) SOT-323
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017599059
- Артикул
- MMBT4401WT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand
- ON Semiconductor
- Series
- MMBT4401WT1
- Packaging
- Cut Tape or Reel
- Вес, г
- 0.03
Цена по запросу
(от 7,45 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor |
| Series | MMBT4401WT1 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Вес, г | 0.03 |
| Subcategory | Transistors |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Корпус | sot-323 |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SC-70-3 |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 150 mW |
| Gain Bandwidth Product FT | 250 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
| Collector- Base Voltage VCBO | 60 V |
| Continuous Collector Current | 0.6 A |
| Maximum DC Collector Current | 0.6 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 20 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 40 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.75 V |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 250 |