Моя заявка (0)

MMBT4124LT1G, Транзистор: NPN, биполярный, 25В, 0,2А, 300мВт, SOT23

MMBT4124LT1G, Транзистор: NPN, биполярный, 25В, 0,2А, 300мВт, SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8051504017
Артикул
MMBT4124LT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi
Series:
MMBT4124
Pin Count
3
Вес, г
0.02
Цена по запросу
(от 13 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярный транзистор NPN предназначен для использования в линейныx и коммутационныx устройстваx. Устройство выполнено в корпусе SOT-23, который предназначен для применения на поверxностяx с низким энергопотреблением.

Технические параметры

Brand:onsemi
Series:MMBT4124
Pin Count3
Вес, г0.02
Technology:Si
Package TypeSOT-23
Subcategory:Transistors
КорпусSOT-23(TO-236)
Manufacturer:onsemi
Mounting TypeSurface Mount
Package/Case:SOT-23-3
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor TypeNPN
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor Polarity:NPN
Minimum DC Current Gain120
Pd - Power Dissipation:225 mW
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation300 W
Gain Bandwidth Product fT:300 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:5 V
Number of Elements per Chip1
Maximum DC Collector Current200 mA
Maximum Emitter Base Voltage5 V dc
Collector- Base Voltage VCBO:30 V
Continuous Collector Current:0.2 A
Maximum DC Collector Current:200 mA
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:120
Maximum Collector Emitter Voltage25 V dc
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:25 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:300 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт300мВт
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.2
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В25

Техническая документация