MMBT3906T RSG, Bipolar Transistors - BJT -40, -0.2, NPN Bipolar Transistor
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018676266
- Артикул
- MMBT3906T RSG
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- Brand:
- Taiwan Semiconductor
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Вес, г
- 0.05
- Technology:
- Si
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный транзистор MMBT3906T PNP Taiwan Semiconductor Биполярный транзистор MMBT3906T PNP представляет собой эпитаксиальный транзистор планарного типа с улучшенной электропроводностью. Этот транзистор рассчитан на напряжение между коллектором и базой (VCBO) -40 В, напряжение между коллектором и эмиттером (VCEO) -40 В и напряжение между эмиттером и базой (VEBO) -5 В. PNP-транзистор MMBT3906T имеет ток коллектора -200 мА и рассеиваемую мощность (PD) 150 МВт. Этот транзистор не содержит галогенов в соответствии со стандартами IEC 61249-2-21 и соответствует требованиям RoHS. Некоторые из этиx приложений включают бытовую электронику, усилители низкой частоты и драйверы.
Технические параметры
| Brand: | Taiwan Semiconductor |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Вес, г | 0.05 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Taiwan Semiconductor |
| Package/Case: | SOT-523-3 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
| DC Current Gain hFE Max: | 300 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 40 V |
| Continuous Collector Current: | 200 mA |
| Maximum DC Collector Current: | 200 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 30 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 40 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 400 mV |