Моя заявка (0)

MMBT3906LT3G, Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount

MMBT3906LT3G, Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8270954252
Артикул
MMBT3906LT3G
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi
Series:
MMBT3906L
Pin Count
3
Вес, г
0.04
Цена по запросу
(от 16 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Brand:onsemi
Series:MMBT3906L
Pin Count3
Вес, г0.04
Technology:Si
Package TypeSOT-23
Subcategory:Transistors
КорпусSOT-23(TO-236)
Manufacturer:onsemi
Mounting TypeSurface Mount
Package/Case:SOT-23-3
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor TypePNP
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураpnp
Transistor Polarity:PNP
Minimum DC Current Gain100
Pd - Power Dissipation:225 mW
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation225 mW
Gain Bandwidth Product fT:250 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:5 V
Maximum Operating Frequency100 MHz
Number of Elements per Chip1
Maximum DC Collector Current800 mA
Maximum Emitter Base Voltage-5 V
Collector- Base Voltage VCBO:40 V
Continuous Collector Current:-0.2 A
Maximum DC Collector Current:200 mA
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage-40 V dc
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:60
Maximum Collector Emitter Voltage40 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:400 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:10000
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)200 mA
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В40

Техническая документация