MMBT3906LP-7B, Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8068454012
- Артикул
- MMBT3906LP-7B
- Бренд
- DIODES INC.
- PPAP
- No
- Type
- PNP
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 140 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | PNP |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | No Lead |
| Вес, г | 0.001 |
| Серия | MMBT39 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Configuration | Single |
| Package Width | 1 |
| Package Length | 0.6 |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | X1-DFN |
| Структура | pnp |
| Standard Package Name | DFN |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 60@100uA@1V|80@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA@1V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Подкатегория | Transistors |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | X1-DFN1006-3 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1000 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.2 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 40 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 40 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 50 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 0.85@1mA@10mA|0.95@5mA@50mA |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.25@1mA@10mA|0.4@5mA@50mA |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 200 mA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 200 mA |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 40 |