MMBT3906FA-7B, Bipolar Transistors - BJT 40V PNP SM Trans 435mW -40V Vceo
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070144598
- Артикул
- MMBT3906FA-7B
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 8
- Серия
- MMBT39
- Структура
- pnp
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 48,02 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 40V PNP SM Trans 435mW -40V Vceo
Технические параметры
| Вес, г | 8 |
| Серия | MMBT39 |
| Структура | pnp |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | X2-DFN0806-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 435 mW |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 500 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.25 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |