MMBT3904LT3G,Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8272016549
- Артикул
- MMBT3904LT3G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.002
- Package Type
- SOT-23
- Корпус
- SOT-23(TO-236)
Цена по запросу
(от 12 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ON Semiconductor MMBT3904LT1G - это NPN-биполярный транзистор, предназначенный для линейныx и коммутационныx применений.
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.002 |
| Package Type | SOT-23 |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Collector Current (Ic) | 200mA |
| Power Dissipation (Pd) | 300mW |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Transition Frequency (fT) | 300MHz |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@10mA, 1V |
| Maximum DC Collector Current | 900 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 60 V dc |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | - |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 40 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 40V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@50mA, 5mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 200 mA |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 40 |