MMBT3904LP-7B, Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001224654
- Артикул
- MMBT3904LP-7B
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 1
- Длина
- 1 mm
- Серия
- MMBT3904LP
- Высота
- 0.5 mm
Цена по запросу
(от 16 ₽)
Минимальный заказ: 1900 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Длина | 1 mm |
| Серия | MMBT3904LP |
| Высота | 0.5 mm |
| Ширина | 0.6 mm |
| Power Dissipation | 400мВт |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| DC Current Gain hFE Min | 30hFE |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | X1-DFN1006-3 |
| Continuous Collector Current | 200мА |
| Collector Emitter Voltage Max | 40В |
| DC Усиление Тока hFE | 30hFE |
| Частота Перехода ft | 300МГц |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | X1-DFN1006 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 200 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.2 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |