MMBT3904LP-7, Транзистор: NPN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031968263
- Артикул
- MMBT3904LP-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.01
- Длина
- 1 mm
- Серия
- MMBT3904LP
- Высота
- 0.5 mm
Цена по запросу
(от 108,87 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN SM SIG 60V VCBO 40V VCEO 6.0 VEBO
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Длина | 1 mm |
| Серия | MMBT3904LP |
| Высота | 0.5 mm |
| Ширина | 0.6 mm |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | X1-DFN1006-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 200 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |