Моя заявка (0)

MMBT3904FZ-7B, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 200 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Surface Mount

MMBT3904FZ-7B, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 200 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8016265893
Артикул
MMBT3904FZ-7B
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.001
Серия:
MMBT3904FZ
Структура
npn
Технология:
Si
Цена по запросу
(от 78 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN 40Vceo 0.3W 200mW 300MHz

Технические параметры

Вес, г0.001
Серия:MMBT3904FZ
Структураnpn
Технология:Si
Вид монтажа:SMD/SMT
Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
Конфигурация:Single
Подкатегория:Transistors
Производитель:Diodes Incorporated
Торговая марка:Diodes Incorporated
Упаковка / блок:DFN0606-3
Категория продукта:Биполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистора:NPN
Pd - рассеивание мощности:350 mW
Коммерческое обозначение:MMBT3904
Размер фабричной упаковки:10000
Напряжение эмиттер-база (VEBO):6 V
Непрерывный коллекторный ток:200 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO):60 V
Минимальная рабочая температура:- 55 C
Максимальная рабочая температура:+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)200 mA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:40 V
Максимальный постоянный ток коллектора:200 mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:300 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.:300
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В40
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT):300 MHz

Техническая документация