Моя заявка (0)

MMBT3904FA-7B, 40V 435mW 100@10mA,1V 200mA 300MHz 300mV@50mA,5mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) DFN-3L(0.6x0.8) BIpolar TransIstors - BJT

MMBT3904FA-7B, 40V 435mW 100@10mA,1V 200mA 300MHz 300mV@50mA,5mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) DFN-3L(0.6x0.8) BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017602086
Артикул
MMBT3904FA-7B
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.03
Серия
MMBT3904FA
Transistor Type
NPN
Структура
npn
Цена по запросу
(от 95,69 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 40V NPN SM Trans 435mW 40V Vceo

Технические параметры

Вес, г0.03
СерияMMBT3904FA
Transistor TypeNPN
Структураnpn
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Pd - Power Dissipation435mW
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокX2-DFN0806-3
Maximum DC Collector Current200mA
Collector-Emitter Breakdown Voltage40V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности435 mW
Размер фабричной упаковки10000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Непрерывный коллекторный ток0.2 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)60 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.40 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.2 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.3 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.300 at 10 mA, 1 V
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц300
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)30 at 100 mA, 1 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)300 MHz

Техническая документация