Моя заявка (0)

MMBT3904FA-7B, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 200 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Surface Mount

MMBT3904FA-7B, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 200 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8016498451
Артикул
MMBT3904FA-7B
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.001
Серия
MMBT3904FA
Transistor Type
NPN
Структура
npn
Цена по запросу
(от 84 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 40V NPN SM Trans 435mW 40V Vceo

Технические параметры

Вес, г0.001
СерияMMBT3904FA
Transistor TypeNPN
Структураnpn
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Pd - Power Dissipation435mW
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокX2-DFN0806-3
Maximum DC Collector Current200mA
Collector-Emitter Breakdown Voltage40V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности435 mW
Размер фабричной упаковки10000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Непрерывный коллекторный ток0.2 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)60 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)200 mA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.40 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.2 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.3 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.300 at 10 mA, 1 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)30 at 100 mA, 1 V
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В40
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)300 MHz

Техническая документация