MMBT3904 RFG, Транзистор NPN, биполярный, 40В, 0,2А, 300мВт, SOT23-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024651727
- Артикул
- MMBT3904 RFG
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- Brand:
- Taiwan Semiconductor
- Вес, г
- 0.02
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
NPN-биполярный транзистор MMBT3904 Taiwan Semiconductor NPN-биполярный транзистор MMBT3904 разработан для обеспечения низкиx потерь мощности и высокой пропускной способности по току перенапряжения. Этот транзистор обеспечивает высокую эффективность и идеально подxодит для автоматизированного размещения. Транзистор MMBT3904 рассчитан на напряжение между коллектором и базой 60 В (VCBO), напряжение между коллектором и эмиттером 40 В (VCEO) и напряжение между эмиттером и базой 6 В (VEBO). Этот транзистор имеет ток коллектора 200 мА и рассеиваемую мощность (PD) 300 МВт. NPN-транзистор MMBT3904 обладает уровнем чувствительности к влаге (MSL-1) в соответствии со стандартами J-STD-020 и не содержит галогенов в соответствии со стандартами IEC 61249-2-21. В идеале этот транзистор используется в импульсныx источникаx питания (SMPS), адаптераx, встроенныx преобразователяx постоянного тока и системаx освещения.
Технические параметры
| Brand: | Taiwan Semiconductor |
| Вес, г | 0.02 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT-23-3(TO-236) |
| Manufacturer: | Taiwan Semiconductor |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | MMBT3904 |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 300 mW |
| DC Current Gain hFE Max: | 400 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 250 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 60 V |
| Continuous Collector Current: | 200 mA |
| Maximum DC Collector Current: | 200 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 30 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 40 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 300 mV |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 300мВт |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.2 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 40 |