Моя заявка (0)

MMBT3904-7-F, Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R

MMBT3904-7-F, Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000998005
Артикул
MMBT3904-7-F
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Вид
NPN
Тип
биполярный
Series:
MMBT3904
Цена по запросу
(от 4,30 ₽)
Минимальный заказ: 6000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор NPN, биполярный, 40В, 200мА, 310мВт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
ВидNPN
Типбиполярный
Series:MMBT3904
Pin Count3
Вес, г0.05
Technology:Si
Package TypeSOT-23
Subcategory:Transistors
Корпусsot23
Manufacturer:Diodes Incorporated
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-23-3
Transistor TypeNPN
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor Polarity:NPN
Minimum DC Current Gain100
Pd - Power Dissipation:310 mW
DC Current Gain hFE Max:300
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation300 mW
Gain Bandwidth Product fT:300 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:6 V
Number of Elements per Chip1
Maximum DC Collector Current200 mA
Maximum Emitter Base Voltage6 V
Collector- Base Voltage VCBO:60 V
Continuous Collector Current:200 mA
Maximum DC Collector Current:200 mA
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage60 V
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
кол-во в упаковке3000
Maximum Collector Emitter Voltage40 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:300 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.2

Техническая документация