MMBT3416LT3G, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8646124265
- Артикул
- MMBT3416LT3G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Вес, г
- 0.1
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 11 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
40 В 225 МВт 75 при 2 мА, 4,5 В 100 мА на биполярныx транзистораx NPN SOT-23 - BJT ROHS
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Power Dissipation (Pd) | 225mW |
| Pd - Power Dissipation: | 225 mW |
| Transition Frequency (fT) | - |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 4 V |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 75@2mA, 4.5V |
| Continuous Collector Current: | 100 mA |
| Maximum DC Collector Current: | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 75 |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 40 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 300 mV |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 40V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@50mA, 3mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 100 mA |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 40 |