MMBT2907AM3T5G, Bipolar Transistors - BJT SS GP PNP TRANSISTOR
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005526279
- Артикул
- MMBT2907AM3T5G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Brand
- ON Semiconductor
- Width
- 0.8 mm
- Height
- 0.5 mm
Цена по запросу
(от 13,97 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ТРАНЗИСТОР, PNP, -60 В, -0,6А, SOT-723; Полярность транзистора: PNP; Напряжение коллектор-эмиттер V(br)ceo: -60 В; Частота переxода ft: 200 МГц; Рассеиваемая мощность Pd:265 МВт; Ток коллектора постоянного тока: -600 мА; Коэффициент усиления по постоянному току hFE: 100hFE
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | ON Semiconductor |
| Width | 0.8 mm |
| Height | 0.5 mm |
| Length | 1.2 mm |
| Series | MMBT2907AM3 |
| Packaging | Reel |
| Вес, г | 1 |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-723-3 |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity | PNP |
| Factory Pack Quantity | 8000 |
| Pd - Power Dissipation | 640 mW |
| Gain Bandwidth Product fT | 200 MHz(Min) |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Collector- Base Voltage VCBO | 60 V |
| Continuous Collector Current | 0.6 A |
| Maximum DC Collector Current | 0.6 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 60 V |