Моя заявка (0)
MMBT2369ALT1G NPN Transistor, 200 mA, 15 V, 3-Pin SOT-23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014511911
Артикул
MMBT2369ALT1G
Бренд
ON Semiconductor***
PPAP
No
Type
NPN
EU RoHS
Compliant
Material
Si
Цена по запросу
(от 18 ₽)
Минимальный заказ: 250 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Trans GP BJT NPN 15 В 0,2 А 300 МВт 3-контактный SOT-23 T/R

Технические параметры

PPAPNo
TypeNPN
EU RoHSCompliant
MaterialSi
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1
PCB changed3
Part StatusActive
Package TypeSOT-23
КорпусSOT-23-3(TO-236)
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypeNPN
Product CategoryBipolar Small Signal
Supplier PackageSOT-23
Структураnpn
Standard Package NameSOT
Minimum DC Current Gain40 10mA 0.35V|30 30mA 0.4V|20 100mA 1V
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation225 mW
Maximum Operating Frequency100 MHz
Number of Elements per Chip1
Maximum DC Collector Current200 mA
Maximum Emitter Base Voltage4.5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage40 V
Maximum Power Dissipation (mW)300
Maximum DC Collector Current (A)0.2
Maximum Emitter Base Voltage (V)4.5
Maximum Collector Emitter Voltage15 V
Maximum Collector Base Voltage (V)40
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Operating Junction Temperature (°C)-55 to 150
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)15
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)400
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)0.85 1mA 10mA|1.15 3mA 30mA|1.6 10mA 100mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)0.2 1mA 10mA|0.25 3mA 30mA|0.5 10mA 100mA
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)200 mA

Техническая документация