MMBT2222AWT3G, Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001006723
- Артикул
- MMBT2222AWT3G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- Type
- NPN
- EU RoHS
- Compliant
- Material
- Si
Цена по запросу
(от 3,30 ₽)
Минимальный заказ: 10000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Trans GP BJT NPN 40 В 0,6 А 150 МВт 3-контактный SC-70 T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | NPN |
| EU RoHS | Compliant |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Configuration | Single |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | SC-70 |
| Структура | npn |
| Standard Package Name | SOT |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 150 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.6 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 75 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 300(Min) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 40 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.2@15mA@150mA|2@50mA@500mA |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.3@15mA@150mA|1@50mA@500mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.6 |