Моя заявка (0)

MMBT2222ATT1G, Транзисторы и сборки биполярные SOT416

MMBT2222ATT1G, Транзисторы и сборки биполярные SOT416

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8061908733
Артикул
MMBT2222ATT1G
Бренд
ON Semiconductor***
HTS
8541.29.00.95
Type
NPN
EU RoHS
Compliant
Material
Si
Цена по запросу
(от 6 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, 0.15 Вт

Технические параметры

HTS8541.29.00.95
TypeNPN
EU RoHSCompliant
MaterialSi
MilitaryNo
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.02
PCB changed3
Part StatusActive
КорпусSC-75
ConfigurationSingle
Package Width0.8
Package Height0.75
Package Length1.6
Product CategoryBipolar Small Signal
Supplier PackageSOT-416
Power Dissipation150мВт
Standard Package NameSOT
DC Current Gain hFE Min35hFE
Minimum DC Current Gain35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|100@150mA@10V|40@500mA@10V
Number of Elements per Chip1
Continuous Collector Current600мА
Collector Emitter Voltage Max40В
Maximum Power Dissipation (mW)150
DC Усиление Тока hFE35hFE
Maximum DC Collector Current (A)0.6
Maximum Emitter Base Voltage (V)6
Maximum Collector Base Voltage (V)75
Maximum Transition Frequency (MHz)300(Min)
Частота Перехода ft300МГц
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)40
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)1.2@15mA@150mA|2@50mA@500mA
Полярность ТранзистораNPN
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)0.3@15mA@150mA|1@50mA@500mA
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-416
Максимальная Рабочая Температура150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный

Техническая документация