Diodes Inc MMBT2222AT-7-F Transistor, 600 mA NPN, 40 V, 3-Pin SOT-523
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024363900
- Артикул
- MMBT2222AT-7-F
- Бренд
- DIODES INC.
- ECCN
- EAR99
- RoHS
- Details
- Brand
- Diodes Incorporated
- HTSUS
- 8541.21.0075
Цена по запросу
(от 18 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 40V 150mW
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| RoHS | Details |
| Brand | Diodes Incorporated |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Width | 0.8 mm |
| Height | 0.75 mm |
| Length | 1.6 mm |
| Series | Automotive, AEC-Q101 -> |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 3.7 |
| Длина | 1.6 mm |
| Серия | MMBT2222 |
| Power - Max | 150mW |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Subcategory | Transistors |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Package Type | SOT-523(SC-89) |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 0.75 mm |
| Корпус | SOT-523 |
| Ширина | 0.8 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-523 |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Base Product Number | MMBT2222 -> |
| Transistor Polarity | NPN |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Pd - Power Dissipation | 150 mW |
| DC Current Gain HFE Max | 375 |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Supplier Device Package | SOT-523 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product FT | 300 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 150 mW |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
| Maximum Operating Frequency | 300 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-523-3 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 75 V |
| Continuous Collector Current | 0.6 A |
| Maximum DC Collector Current | 600 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 75 |
| Maximum Collector Base Voltage | 75 V |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 40 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 40 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1 V |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.6 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 75 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.6 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 375 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 75 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 40 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |