MMBT2222AM3T5G, null 640mW 100@150mA,10V 600mA NPN SOT-723-3 BIpolar TransIstors - BJT ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026219101
- Артикул
- MMBT2222AM3T5G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- Type
- NPN
- EU RoHS
- Compliant
- Category
- Bipolar Small Signal
Цена по запросу
(от 12,36 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT SS SOT-723 GP TRANSISTOR
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | NPN |
| EU RoHS | Compliant |
| Category | Bipolar Small Signal |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Frequency | 300(MHz) |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Flat |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 1.2 mm |
| Серия | MMBT2222AM3 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Output Power | Not Required(W) |
| Package Type | SOT-723 |
| Rad Hardened | No |
| Высота | 0.5 mm |
| Ширина | 0.8 mm |
| Configuration | Single |
| DC Current Gain | 35 |
| Frequency (Max) | 300 MHz |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | SOT-723 |
| Power Dissipation | 0.64(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Emitter-Base Voltage | 6(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Standard Package Name | SOT-723 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (DC) | 0.6(A) |
| Collector-Base Voltage | 75(V) |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Collector-Emitter Voltage | 40(V) |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-723-3 |
| Collector Current (DC) (Max) | 0.6 A |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 640 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.6 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 75 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 300(Min) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 40 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 10 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.2 15mA 150mA|2 50mA 500mA |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 640 mW |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.3 15mA 150mA|1 50mA 500mA |
| Размер фабричной упаковки | 8000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 75 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 600 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.6 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |