Моя заявка (0)

MMBT2222ALT3G, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount

MMBT2222ALT3G, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8303837595
Артикул
MMBT2222ALT3G
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi
Series:
MMBT2222AL
Pin Count
3
Вес, г
0.05
Цена по запросу
(от 14 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Brand:onsemi
Series:MMBT2222AL
Pin Count3
Вес, г0.05
Technology:Si
Package TypeSOT-23
Subcategory:Transistors
КорпусSOT-23(TO-236)
Manufacturer:onsemi
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-23-3
Transistor TypeNPN
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor Polarity:NPN
Minimum DC Current Gain100
Pd - Power Dissipation:225 mW
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation225 mW
Gain Bandwidth Product fT:300 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:6 V
Maximum Operating Frequency100 MHz
Number of Elements per Chip1
Maximum DC Collector Current600 mA
Maximum Emitter Base Voltage6 V
Collector- Base Voltage VCBO:75 V
Continuous Collector Current:600 mA
Maximum DC Collector Current:600 mA
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage75 V
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min:35
Maximum Collector Emitter Voltage40 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:10000
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В40

Техническая документация