MMBT2222ALT1HTSA1, Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001469441
- Артикул
- MMBT2222ALT1HTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 1
- Серия
- MMBT2222
- Корпус
- SOT-23(TO-236)
- Структура
- npn
Цена по запросу
(от 12 ₽)
Минимальный заказ: 6086 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT AF TRANS GP BJT NPN 40V 0.6A
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Серия | MMBT2222 |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 330 mW |
| Другие названия товара № | MMBT 2222A LT1 SP000011174 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 600 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 75 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.6 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |