MMBT2222A, 10nA 40V 300mW 100@150mA,10V 600mA 300MHz 1V@500mA,50mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-23 BIpolar TransIstors - BJT
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017647621
- Артикул
- MMBT2222A
- Бренд
- JSMicro Semiconductor Co., Ltd
- Вес, г
- 0.06
- Корпус
- sot23
- Transistor Type
- NPN
- Структура
- npn
Цена по запросу
(от 1,83 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
40 В 300 МВт при 100@ 150 мА, 10 В 600 мА на биполярныx транзистораx NPN SOT-23 - BJT ROHS
Технические параметры
| Вес, г | 0.06 |
| Корпус | sot23 |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Operating Temperature | - |
| Collector Current (Ic) | 600mA |
| Power Dissipation (Pd) | 300mW |
| Transition Frequency (fT) | 300MHz |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@150mA, 10V |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 10nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 40V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@150mA, 15mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 600 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 300 |