Моя заявка (0)

MMBT100, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Surface Mount

MMBT100, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8737154179
Артикул
MMBT100
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
0.02
Длина
2.92 mm
Серия
MMBT100
Высота
0.93 mm
Цена по запросу
(от 28 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN Transistor General Purpose

Технические параметры

Вес, г0.02
Длина2.92 mm
СерияMMBT100
Высота0.93 mm
КорпусSOT-23(TO-236)
Ширина1.3 mm
Power Dissipation350мВт
Структураnpn
Вид монтажаSMD/SMT
DC Current Gain hFE Min80hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокSOT-23-3
Continuous Collector Current500мА
Collector Emitter Voltage Max45В
DC Усиление Тока hFE80hFE
Частота Перехода ft250МГц
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности350 mW
Другие названия товара №MMBT100_NL
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-23
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Непрерывный коллекторный ток0.5 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)75 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.45 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.5 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.4 V
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.450
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)250 MHz

Техническая документация