MMBFJ309LT1G, Транзистор N-JFET 25В 30мА 0.225 Вт [SOT-23-3]
![MMBFJ309LT1G, Транзистор N-JFET 25В 30мА 0.225 Вт [SOT-23-3]](https://static.epl-electro.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9001155210
- Артикул
- MMBFJ309LT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Mounting
- Surface Mount
- Packaging
- Tape and Reel
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.05
Цена по запросу
(от 25,30 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MMBFJ309 - Радиочастотный малосигнальный полевой транзистор, диапазон сверxвысокиx частот, N-канальный JFET
Технические параметры
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.05 |
| Channel Mode | Depletion |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Rad Hardened | No |
| Configuration | Single |
| Screening Level | Military |
| Number of Elements | 1 |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Drain-Source Volt (Max) | 25(V) |
| Gate-Source Voltage (Max) | 25(V) |
| Drain Source Voltage (Max) | 25(V) |
| Operating Temperature (Max) | 150C |
| Operating Temperature (Min) | -55C |
| Operating Temperature Classification | Military |