MMBFJ175LT1G, Транзистор P-JFET 25В 0.225Вт [SOT-23-3]

Описание

ТРАНЗИСТОР, JFET, P, 30 В, SOT-23; Напряжение пробоя Vbr:30 В; Ток стока с нулевым напряжением на затворе Idss Min:7 мА; Ток стока с нулевым напряжением на затворе Idss Max:60 мА; Напряжение отключения затвор-исток Vgs(выкл.) Max:6 В; Тип корпуса транзистора: SOT-23; Транзистор Тип: JFET; Количество контактов: 3 Pin; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL: MSL 1 - Неограниченный; SVHC: Без SVHC (27 июня 2018 г.); Максимальная емкость Снпч: 11 Пф; Максимальный ток Idss:60 мА; Минимальный ток Idss: 7 мА; Напряжение источника стока Vds: -30 В; Количество контактов: 3 контакта; Максимальное сопротивление во включенном состоянии: 125 Ом; Минимальная рабочая температура: -55°C; Диапазон рабочиx температур: от -55°C до +150°C; Рассеиваемая мощность Pd: 225 МВт; Рассеиваемая мощность Ptot Максимальная мощность: 225 МВт; Маркировка SMD: 6 Вт; Тип подключения: Устройство для поверxностного монтажа; Полярность транзистора: Канал P; Минимальное напряжение Vgs при выключенном состоянии: 3 В

Технические параметры

Техническая документация