MMBFJ113, Транзистор N-JFET, полевой, 350мВт, SOT23, 50мА
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026700656
- Артикул
- MMBFJ113
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- JFET
- Width
- 1.3mm
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- MMBFJ113
Цена по запросу
(от 46,20 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-JFET, полевой, 350мВт, SOT23, 50мА Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид JFET
Технические параметры
| Type: | JFET |
| Width | 1.3mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | MMBFJ113 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.03 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | sot23 |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | JFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23 |
| Part # Aliases: | MMBFJ113_NL |
| Product Category: | JFET |
| Структура | N-JFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 350 mW |
| Transistor Configuration | Single |
| Drain Gate On-Capacitance | 28pF |
| Maximum Drain Gate Voltage | 35V |
| Source Gate On-Capacitance | 28pF |
| Gate-Source Cutoff Voltage: | -3 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -35 V |
| Operating Temperature Range: | -55 C to+150 C |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain-Source Current at Vgs=0: | 10 mA to 40 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 100 Ω |
| Idss Drain-Source Cut-off Current | min.2mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 100 Ohms |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | -35 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.05 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.35 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |