MMBFJ112, Транзистор N-JFET 35В 0.05 0.35Вт [SOT-23-3]
![MMBFJ112, Транзистор N-JFET 35В 0.05 0.35Вт [SOT-23-3]](https://static.epl-electro.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000616809
- Артикул
- MMBFJ112
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- JFET
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- MMBFJ112
- Вес, г
- 0.05
Цена по запросу
(от 22 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 350 мВт
Технические параметры
| Type: | JFET |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | MMBFJ112 |
| Вес, г | 0.05 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | JFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Part # Aliases: | MMBFJ112_NL |
| Product Category: | JFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 350 mW |
| Gate-Source Cutoff Voltage: | -5 V |
| Operating Temperature Range: | -55 C to+150 C |
| Drain-Source Current at Vgs=0: | 4 mA to 20 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 50 Ohms |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | -35 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |