Моя заявка (0)
MMBFJ112, JFETs N-Channel Switch

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004835518
Артикул
MMBFJ112
Бренд
ON Semiconductor***
Type:
JFET
Width
1.3mm
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
MMBFJ112
Цена по запросу
(от 32,70 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: N-JFET, полевой, 350мВт, SOT23, 50мА Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид JFET

Технические параметры

Type:JFET
Width1.3mm
Brand:onsemi/Fairchild
Series:MMBFJ112
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count3
Вес, г0.01
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypeSOT-23
Rad HardenedNo
Subcategory:Transistors
ConfigurationSingle
Manufacturer:onsemi
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:JFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-23-3
Part # Aliases:MMBFJ112_NL
Product Category:JFET
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:350 mW
Drain-Gate Voltage (Max)35(V)
Transistor ConfigurationSingle
Drain Gate On-Capacitance28pF
Gate-Source Voltage (Max)-35(V)
Maximum Drain Gate Voltage35V
Source Gate On-Capacitance28pF
Gate-Source Cutoff Voltage:-5 V
Maximum Gate Source Voltage-35 V
Operating Temperature (Max)150C
Operating Temperature (Min)-55C
Operating Temperature Range:-55 C to+150 C
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Drain-Source Current at Vgs=0:4 mA to 20 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Drain Source Resistance50 Ω
Idss Drain-Source Cut-off Currentmin.5mA
Rds On - Drain-Source Resistance:50 Ohms
Operating Temperature ClassificationMilitary
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage:-35 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000

Техническая документация