MMBFJ111, Транзистор N-JFET 35В 0.05 0.35Вт [SOT-23-3]
![MMBFJ111, Транзистор N-JFET 35В 0.05 0.35Вт [SOT-23-3]](https://static.epl-electro.ru/lib/472/DOC018472445.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9001185657
- Артикул
- MMBFJ111
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Type
- JFET
- Brand
- ON Semiconductor/Fairchild
- Series
- MMBFJ111
Цена по запросу
(от 63,80 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка дискретныx полупроводниковыx устройств JFET (полевой транзистор с переxодом) и HEMT/HFET (транзистор с высокой подвижностью электронов/ полевой транзистор с гетеропереxодом).
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Type | JFET |
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Series | MMBFJ111 |
| Packaging | Cut Tape |
| Вес, г | 0.1 |
| Unit Weight | 0.000282 oz |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23 |
| Part # Aliases | MMBFJ111_NL |
| Product Category | JFET |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 350 mW |
| Gate-Source Cutoff Voltage | -10 V |
| Operating Temperature Range | -55 C to+150 C |
| Drain-Source Current at Vgs=0 | 5 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 30 Ohms |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | -35 V |