MMBF4393LT1G, Транзистор, N-JFET, 30В, 0.225Вт, Idss=5…30мА [SOT-23-3.]
![MMBF4393LT1G, Транзистор, N-JFET, 30В, 0.225Вт, Idss=5…30мА [SOT-23-3.]](https://static.epl-electro.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000616808
- Артикул
- MMBF4393LT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 1.4mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.05
- Channel Type
- N
Цена по запросу
(от 38,50 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В, 225 мВт
Технические параметры
| Width | 1.4mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.05 |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Configuration | Single |
| Drain Gate On-Capacitance | 14pF |
| Maximum Drain Gate Voltage | 30V |
| Source Gate On-Capacitance | 14pF |
| Maximum Gate Source Voltage | +30 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Drain Source Resistance | 100 Ω |
| Idss Drain-Source Cut-off Current | 5 to 30mA |