Моя заявка (0)

MMBF170LT1G-VB, Транзистор N-MOSFET 60В 0.25А 0.3Вт [SOT-23-3]

MMBF170LT1G-VB, Транзистор N-MOSFET 60В 0.25А 0.3Вт [SOT-23-3]

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
9001185607
Артикул
MMBF170LT1G-VB
Бренд
Vbsemi Electronics Co., Ltd.
Вес, г
0.1
Корпус
SOT-23-3
Структура
N-Channel
Пороговое напряжение на затворе
1…2.5
Цена по запросу
(от 13,20 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.1
КорпусSOT-23-3
СтруктураN-Channel
Пороговое напряжение на затворе1…2.5
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.25
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)3.3 Ом/0.2А, 10В

Техническая документация