MMBF170LT1G, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0,5А, 0,225Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8065642463
- Артикул
- MMBF170LT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 1.3mm
- FET Type
- N-Channel
- Pin Count
- 3
- Vgs (Max)
- ±20V
Цена по запросу
(от 22 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0,5А, 0,225Вт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Width | 1.3mm |
| FET Type | N-Channel |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.02 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Transistor Material | Si |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 200mA, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 225mW(Ta) |
| Supplier Device Package | SOT-23-3(TO-236) |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 225 mW |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 5 Ω |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Maximum Continuous Drain Current | 500 mA |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 60 pF @ 10 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA(Ta) |