MMBF170, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 500мА, 300мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061892466
- Артикул
- MMBF170
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 1.3mm
- Series
- -
- FET Type
- N-Channel
- Packaging
- Tape & Reel(TR)
Цена по запросу
(от 12 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 500мА, 300мВт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Width | 1.3mm |
| Series | - |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.02 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | SOT-23 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Transistor Material | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 200mA, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 300mW(Ta) |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.8V |
| Maximum Drain Source Resistance | 5 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 500 mA |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 40pF @ 10V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA(Ta) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 500mA(Ta) |