Моя заявка (0)

MJW21196G,Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 250 V, 16 A, 200 W, TO-247, Through Hole

MJW21196G,Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 250 V, 16 A, 200 W, TO-247, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8640117988
Артикул
MJW21196G
Бренд
ON Semiconductor***
Pin Count
3
Вес, г
5.42
Package Type
TO-247
Корпус
TO-247 | to-247
Цена по запросу
(от 863 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г5.42
Package TypeTO-247
КорпусTO-247 | to-247
Mounting TypeThrough Hole
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation200 W
Maximum Operating Frequency1 MHz
Number of Elements per Chip1
Maximum DC Collector Current16 A
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage400 V dc
Maximum Collector Emitter Voltage250 V
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт200
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)16
Статический коэффициент передачи тока h21э мин20
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц4
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В250
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В250

Техническая документация