Моя заявка (0)

MJL4302AG,Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 350 V, 15 A, 230 W, TO-264, Through Hole

MJL4302AG,Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 350 V, 15 A, 230 W, TO-264, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8617467094
Артикул
MJL4302AG
Бренд
ON Semiconductor***
RoHS
Details
Brand
ON Semiconductor
Width
5.3 mm(Max)
Height
26.4 mm(Max)
Цена по запросу
(от 1 313 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярный транзистор, PNP, 350 В, 15 А, 230 Вт

Технические параметры

RoHSDetails
BrandON Semiconductor
Width5.3 mm(Max)
Height26.4 mm(Max)
Length20.3 mm(Max)
SeriesMJL4302A
PackagingTube
Pin Count3
Вес, г13.61
ManufacturerON Semiconductor
Package TypeTO-3BPL
КорпусTO-264 | to-264
ConfigurationSingle
Mounting TypeThrough Hole
Mounting StyleThrough Hole
Package / CaseTO-264-3
Transistor TypePNP
Product CategoryBipolar Transistors-BJT
Структураpnp
Transistor PolarityPNP
Factory Pack Quantity25
Pd - Power Dissipation230 W
Transistor ConfigurationSingle
Gain Bandwidth Product fT35 MHz
Maximum Power Dissipation230 W
Emitter- Base Voltage VEBO5 V
Maximum Operating Frequency35 MHz
Number of Elements per Chip1
Collector- Base Voltage VCBO350 V
Continuous Collector Current15 A
Maximum DC Collector Current15 A
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-65 C
DC Collector/Base Gain hfe Min80
Maximum Collector Base Voltage350 V
Maximum Collector Emitter Voltage-350 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max350 V
Collector-Emitter Saturation Voltage1 V
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт230
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин80
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц35
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В350
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В350

Техническая документация