Моя заявка (0)
MJL21196G, Bipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W NPN

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004738655
Артикул
MJL21196G
Бренд
ON Semiconductor***
RoHS
Details
Brand
ON Semiconductor
Width
5.3 mm(Max)
Height
26.4 mm(Max)
Цена по запросу
(от 772 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

ТРАНЗИСТОР, БИПОЛЯРНЫЙ, NPN, 250 В, TO-264-3; Полярность транзистора: NPN; Напряжение коллектор-эмиттер, V(br)ceo:250 В; Частота переxода ft: 4 МГц; Рассеиваемая мощность Pd:200 Вт; Ток коллектора постоянного тока:16 А; Коэффициент усиления по постоянному току hFE:8hFE; Тип корпуса транзистора: TO-264; Количество контактов: 3; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции:-; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL: MSL 1 - Неограниченный; SVHC:Ведущий (27 июня 2018)

Технические параметры

RoHSDetails
BrandON Semiconductor
Width5.3 mm(Max)
Height26.4 mm(Max)
Length20.3 mm(Max)
SeriesMJL21196
PackagingTube
Pin Count3
Вес, г10
ManufacturerON Semiconductor
Package TypeTO-264
ConfigurationSingle
Mounting TypeThrough Hole
Mounting StyleThrough Hole
Package / CaseTO-264-3(TO-3BPL)
Transistor TypeNPN
Product CategoryBipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor PolarityNPN
Factory Pack Quantity25
Pd - Power Dissipation200 W
Transistor ConfigurationSingle
Gain Bandwidth Product fT4 MHz
Maximum Power Dissipation200 W
Emitter- Base Voltage VEBO5 V
Maximum Operating Frequency1 MHz
Number of Elements per Chip1
Collector- Base Voltage VCBO400 V
Continuous Collector Current16 A
Maximum DC Collector Current16 A
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-65 C
DC Collector/Base Gain hfe Min25
Maximum Collector Base Voltage400 V dc
Maximum Collector Emitter Voltage250 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max250 V
Collector-Emitter Saturation Voltage1.4 V

Техническая документация