MJL21194G, Транзистор NPN, биполярный, 250В, 16А, 200Вт, TO264
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8049454063
- Артикул
- MJL21194G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- TO264
- RoHS
- Details
- Brand
- ON Semiconductor
- Width
- 5.3 mm(Max)
Цена по запросу
(от 1 041 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MJL21194G является биполярным NPN силовым транзистором, который использует технологию перфорированного эмиттера. Предназначен для высокопроизводительного аудиовыхода, позиционеров дисковых головок и других линейных приложений. • Дополнение к MJL21193G • Отличная линейность усиления • Полный коэффициент гармонических искажений • Точное воспроизведение входного сигнала • Надежная производительность при больших мощностях
Технические параметры
| Case | TO264 |
| RoHS | Details |
| Brand | ON Semiconductor |
| Width | 5.3 mm(Max) |
| Brand: | onsemi |
| Height | 26.4 mm(Max) |
| Length | 20.3 mm(Max) |
| Series | MJL21194 |
| Mounting | THT |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 9.57 |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | TO-3BPL |
| Polarisation | bipolar |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | TO-264 |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-264-3 |
| Kind of package | tube |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-264-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Collector current | 16A |
| Power Dissipation | 200Вт |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Type of transistor | NPN |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Factory Pack Quantity | 25 |
| Factory Pack Quantity: | 25 |
| Pd - Power Dissipation | 200 W |
| DC Current Gain hFE Min | 75hFE |
| Pd - Power Dissipation: | 200 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Collector-emitter voltage | 250V |
| Gain Bandwidth Product fT | 4 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 200 W |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Gain Bandwidth Product fT: | 4 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Maximum Operating Frequency | 1 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 400 V |
| Continuous Collector Current | 16 A |
| Maximum DC Collector Current | 16 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Collector Emitter Voltage Max | 250В |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 400 V |
| Continuous Collector Current: | 16 A |
| Maximum DC Collector Current: | 16 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 25 |
| Maximum Collector Base Voltage | 400 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 25 |
| DC Усиление Тока hFE | 75hFE |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 250 V |
| Частота Перехода ft | 4МГц |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 250 V |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 250 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.4 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.4 V |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-264 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 200 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 16 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 25 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 4 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 250 |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 400 |