MJH6284G, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 100В, 20А, 160Вт, TO247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008564012
- Артикул
- MJH6284G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Brand
- ON Semiconductor
- Width
- 4.9 mm
- Height
- 12.2 mm
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор биполярный MJH6284G от ONSEMI представляет собой высокомощный NPN Дарлингтоновский транзистор в надежном корпусе TO247, предназначенный для монтажа THT. Он способен управлять током коллектора до 20А и поддерживает напряжение коллектор-эмиттер до 100В, что делает его отличным выбором для мощных применений. Данная модель обладает мощностью 160Вт, обеспечивая высокую производительность и долговечность в широком спектре электронных схем. Используйте MJH6284G для надежной работы ваших устройств. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN, Дарлингтон Монтаж THT Ток коллектора, А 20 Напряжение коллектор-эмиттер, В 100 Мощность, Вт 160 Корпус TO247
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | ON Semiconductor |
| Width | 4.9 mm |
| Height | 12.2 mm |
| Length | 15.2 mm |
| Series | MJH6284 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 2.06 |
| Unit Weight | 0.229281 oz |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | TO-247 |
| Корпус | TO-247 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-247 |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Darlington Transistors |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Factory Pack Quantity | 30 |
| Pd - Power Dissipation | 160 W |
| DC Current Gain hFE Max | 18000 |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 160 W |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 100 V |
| Continuous Collector Current | 20 A |
| Maximum DC Collector Current | 20 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 100, 750 |
| Maximum Collector Base Voltage | 100 V |
| Maximum Collector Cut-off Current | 1000 uA |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 100 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 100 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 20 A |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage | 4 V |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 3 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 160 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 20 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |