Моя заявка (0)

MJH11022G, Транзистор: NPN, биполярный, Дарлингтон, 250В, 15А, 150Вт, TO247-3

MJH11022G, Транзистор: NPN, биполярный, Дарлингтон, 250В, 15А, 150Вт, TO247-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026881374
Артикул
MJH11022G
Бренд
ON Semiconductor***
Width
5.3mm
Mounting
Through Hole
Polarity
NPN
Packaging
Rail/Tube
Цена по запросу
(от 1 300 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: NPN, биполярный, Дарлингтон, 250В, 15А, 150Вт, TO247-3 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN

Технические параметры

Width5.3mm
MountingThrough Hole
PolarityNPN
PackagingRail/Tube
Pin Count3
Вес, г6.14
Package TypeTO-247
Rad HardenedNo
КорпусTO-247
ConfigurationSingle
Mounting TypeThrough Hole
DC Current Gain100
Transistor TypeNPN
Power Dissipation150(W)
Number of Elements1
Структураnpn
Emitter-Base Voltage5(V)
Operating Temp Range-65C to 150C
Collector Current (DC)15(A)
Collector-Base Voltage250(V)
Minimum DC Current Gain100
Transistor ConfigurationSingle
Collector-Emitter Voltage250(V)
Maximum Power Dissipation150 W
Number of Elements per Chip1
Collector Current (DC) (Max)15 A
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-65 °C
Maximum Collector Base Voltage250 V
Maximum Collector Cut-off Current5mA
Maximum Collector Emitter Voltage250 V
Collector-Emitter Saturation Voltage2.5(V)
Maximum Continuous Collector Current15 A
Operating Temperature ClassificationMilitary
Base-Emitter Saturation Voltage (Max)3.8(V)
Maximum Base Emitter Saturation Voltage3.8 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage4 V
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт150
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)15

Техническая документация