Моя заявка (0)

MJF6388G, Транзистор: NPN, биполярный, Дарлингтон, 100В, 10А, 40Вт, TO220FP

MJF6388G, Транзистор: NPN, биполярный, Дарлингтон, 100В, 10А, 40Вт, TO220FP

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004542523
Артикул
MJF6388G
Бренд
ON Semiconductor***
Width
4.9mm
Mounting
Through Hole
Polarity
NPN
Packaging
Rail/Tube
Цена по запросу
(от 284 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: NPN, биполярный, Дарлингтон, 100В, 10А, 40Вт, TO220FP Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN

Технические параметры

Width4.9mm
MountingThrough Hole
PolarityNPN
PackagingRail/Tube
Pin Count3+Tab
Вес, г3.26
Package TypeTO-220FP
Rad HardenedNo
КорпусTO-220F
ConfigurationSingle
Mounting TypeThrough Hole
DC Current Gain100
Transistor TypeNPN
Power Dissipation2(W)
Number of Elements1
Структураnpn
Emitter-Base Voltage5(V)
Operating Temp Range-65C to 150C
Collector Current (DC)10(A)
Collector-Base Voltage30(V)
Minimum DC Current Gain100
Transistor ConfigurationSingle
Collector-Emitter Voltage100(V)
Maximum Power Dissipation40 W
Number of Elements per Chip1
Collector Current (DC) (Max)10 A
Maximum Emitter Base Voltage5 V dc
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-65 °C
Maximum Collector Base Voltage100 V dc
Maximum Collector Cut-off Current10
Maximum Collector Emitter Voltage100 V dc
Collector-Emitter Saturation Voltage2(V)
Maximum Continuous Collector Current10 A dc
Operating Temperature ClassificationMilitary
Base-Emitter Saturation Voltage (Max)2.8(V)
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage3 V dc
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)10
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В100

Техническая документация