MJF45H11G, Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W PNP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005371497
- Артикул
- MJF45H11G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Category
- Bipolar Power
- Mounting
- Through Hole
- Frequency
- 40(MHz)
- Packaging
- Rail/Tube
Цена по запросу
(от 243 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 80В, 10А, 36Вт, TO220FP Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN
Технические параметры
| Category | Bipolar Power |
| Mounting | Through Hole |
| Frequency | 40(MHz) |
| Packaging | Rail/Tube |
| Pin Count | 3+Tab |
| Вес, г | 2.3 |
| Длина | 10.63 mm (Max) |
| Серия | MJF45H11 |
| Output Power | Not Required(W) |
| Package Type | TO-220FP |
| Rad Hardened | No |
| Высота | 9.24 mm (Max) |
| Корпус | TO-220FP |
| Ширина | 4.9 mm (Max) |
| Configuration | Single |
| DC Current Gain | 60 |
| Frequency (Max) | 40 MHz |
| Упаковка | Tube |
| Power Dissipation | 2(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity | PNP |
| Emitter-Base Voltage | 5(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| DC Current Gain (Min) | 60 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Collector Current (DC) | 10(A) |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Collector-Emitter Voltage | 80(V) |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
| Collector Current (DC) (Max) | 10 A |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 36 W |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 10 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 5 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 10 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 40 MHz |