MJF31CG, Trans GP BJT NPN 100V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001060287
- Артикул
- MJF31CG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Category
- Bipolar Power
- Mounting
- Through Hole
- Frequency
- 3(MHz)
- Packaging
- Rail/Tube
Цена по запросу
(от 150 ₽)
Минимальный заказ: 150 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 3A 100V 30W NPN
Технические параметры
| Category | Bipolar Power |
| Mounting | Through Hole |
| Frequency | 3(MHz) |
| Packaging | Rail/Tube |
| Pin Count | 3+Tab |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 10.63 mm |
| Серия | MJF31C |
| Output Power | Not Required(W) |
| Package Type | TO-220FP |
| Rad Hardened | No |
| Высота | 9.24 mm |
| Корпус | TO-220 |
| Ширина | 4.9 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| DC Current Gain | 25 |
| Frequency (Max) | 3 MHz |
| Transistor Type | NPN |
| Упаковка | Tube |
| Power Dissipation | 2(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Emitter-Base Voltage | 5(V) |
| Operating Temp Range | -65C to 150C |
| Технология | Si |
| DC Current Gain (Min) | 25 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Collector Current (DC) | 3(A) |
| Collector-Base Voltage | 100(V) |
| Minimum DC Current Gain | 10 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Collector-Emitter Voltage | 100(V) |
| Maximum Power Dissipation | 28 W |
| Maximum Operating Frequency | 1 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
| Collector Current (DC) (Max) | 3 A |
| Maximum DC Collector Current | 3 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 100 V dc |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 100 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 28 W |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.2 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3 MHz |