MJF18004G, Транзистор: NPN, биполярный, 450В, 5А, 42Вт, TO220FP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062453315
- Артикул
- MJF18004G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Brand
- ON Semiconductor
- Width
- 4.9 mm(Max)
- Height
- 9.24 mm(Max)
Цена по запросу
(от 206,16 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 450В, 5А, 42Вт, TO220FP Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | ON Semiconductor |
| Width | 4.9 mm(Max) |
| Height | 9.24 mm(Max) |
| Length | 10.63 mm(Max) |
| Series | MJF18004 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 2.16 |
| Длина | 10.63 mm |
| Серия | MJF18004 |
| Unit Weight | 0.08113 oz |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | TO-220FP |
| Высота | 9.24 mm |
| Корпус | TO-220F |
| Ширина | 4.9 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220FP-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Упаковка | Tube |
| Power Dissipation | 280мВт |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 50 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Pd - Power Dissipation | 75 W |
| DC Current Gain hFE Min | 32hFE |
| Minimum DC Current Gain | 14 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product fT | 13 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 9 V |
| Maximum Operating Frequency | 13 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 1 kV |
| Continuous Collector Current | 5А |
| Maximum DC Collector Current | 5 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 9 V |
| Collector Emitter Voltage Max | 450В |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| DC Усиление Тока hFE | 32hFE |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 450 V |
| Частота Перехода ft | 13МГц |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 450 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.92 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 75 W |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Стиль Корпуса Транзистора | ISOWATT-220 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 9 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 5 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 1 kV |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 5 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 450 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.92 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 13 MHz |