Моя заявка (0)
MJF122G,Darlington Transistor, Darlington, NPN, 3 Pins

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000220727
Артикул
MJF122G
Бренд
ON Semiconductor***
Width
4.9mm
Pin Count
3
Вес, г
3.266
Power - Max
2 W
Цена по запросу
(от 250 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор биполярный MJF122G от производителя ONSEMI представляет собой надежный компонент для силовой электроники в корпусе TO220FP. Данный транзистор типа NPN Дарлингтон способен обеспечить ток коллектора до 5 Ампер и поддерживает напряжение коллектор-эмиттер до 100 Вольт, что делает его идеальным выбором для работы в высоковольтных цепях. С мощностью рассеивания до 2 Вт и монтажом THT, MJF122G легко интегрируется в различные схемы, обеспечивая высокую производительность и долговечность. Используйте MJF122G для повышения эффективности ваших электронных проектов. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN, Дарлингтон Монтаж THT Ток коллектора, А 5 Напряжение коллектор-эмиттер, В 100 Мощность, Вт 2 Корпус TO220FP

Технические параметры

Width4.9mm
Pin Count3
Вес, г3.266
Power - Max2 W
Package TypeTO-220FP
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Operating Temperature-65°C ~ 150°C(TJ)
Minimum DC Current Gain1000
Supplier Device PackageTO-220FP
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation2 W
Number of Elements per Chip1
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-65 °C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic3.5V @ 20mA, 5A
Current - Collector (Ic) (Max)5 A
Maximum Collector Base Voltage100 V
Current - Collector Cutoff (Max)10µA
Maximum Collector Cut-off Current10µA
Maximum Collector Emitter Voltage100 V
Maximum Continuous Collector Current8 A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce2000 @ 3A, 3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage3.5 V dc

Техническая документация