Моя заявка (0)

MJE5852G, Транзистор: PNP, биполярный, 400В, 8А, 80Вт, TO220AB

MJE5852G, Транзистор: PNP, биполярный, 400В, 8А, 80Вт, TO220AB

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024937904
Артикул
MJE5852G
Бренд
ON Semiconductor***
Вид
PNP
Тип
биполярный
Pin Count
3
Вес, г
3.2
Цена по запросу
(от 740 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: PNP, биполярный, 400В, 8А, 80Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP

Технические параметры

ВидPNP
Типбиполярный
Pin Count3
Вес, г3.2
Длина10.28мм
Package TypeTO-220AB
Высота9.28мм
КорпусTO-220
Ширина4.82мм
Mounting TypeThrough Hole
Размеры9.28 x 10.28 x 4.82мм
Transistor TypePNP
Структураpnp
Тип корпусаTO-220AB
Тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
Minimum DC Current Gain15
Transistor ConfigurationОдинарный
Maximum Power Dissipation80 W
ПроизводительON Semiconductor
Number of Elements per Chip1
Maximum DC Collector Current-8 A
Maximum Emitter Base Voltage6 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Тип транзистораPNP
Число контактов3
Maximum Collector Emitter Voltage-400 V
Количество элементов на ИС1
Максимальное рассеяние мощности80 Вт
Минимальная рабочая температура-65 °C
Максимальная рабочая температура+150 °C
Максимальный пост. ток коллектора8 A
Максимальное напряжение эмиттер-база6 В
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин15
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)400 V
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер1,5 В
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц30
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер5 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току5
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В400
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В400

Техническая документация