Моя заявка (0)
MJE5742G, Darlington Transistors 8A 400V Bipolar Power NPN

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005371484
Артикул
MJE5742G
Бренд
ON Semiconductor***
Width
4.82mm
Pin Count
3
Вес, г
6
Package Type
TO-220
Цена по запросу
(от 220,44 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор биполярный MJE5742G от производителя ONSEMI – это высоковольтный компонент типа NPN Дарлингтон, предназначенный для монтажа в отверстия (THT). Он способен управлять током коллектора до 8 А и выдерживает напряжение коллектор-эмиттер до 400 В, обеспечивая мощность до 2 Вт. Устройство имеет удобный для монтажа корпус TO220AB, что делает его идеальным выбором для мощных применений. Использование транзистора MJE5742G гарантирует надежность и долговечность ваших электронных проектов. Купите этот надежный компонент с кодом MJE5742G и убедитесь в его эффективности самостоятельно. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN, Дарлингтон Монтаж THT Ток коллектора, А 8 Напряжение коллектор-эмиттер, В 400 Мощность, Вт 2 Корпус TO220AB

Технические параметры

Width4.82mm
Pin Count3
Вес, г6
Package TypeTO-220
КорпусTO-220
Mounting TypeThrough Hole
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Minimum DC Current Gain50
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation100 W
Number of Elements per Chip1
Maximum Emitter Base Voltage8 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-65 °C
Maximum Collector Cut-off Current5mA
Maximum Collector Emitter Voltage400 V
Maximum Continuous Collector Current8 A
Maximum Base Emitter Saturation Voltage3.5 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage3 V
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)8

Техническая документация