MJE5731G, Bipolar Transistors - BJT 1A 350V 40W PNP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005371483
- Артикул
- MJE5731G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- HTS
- 8541.29.00.95
- Tab
- Tab
- Type
- PNP
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 188 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 1A 350V 40W PNP
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Tab | Tab |
| Type | PNP |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Material | Si |
| Military | No |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 6 |
| Длина | 10.53 mm |
| Серия | MJE5731 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Package Type | TO-220 |
| Высота | 15.75 mm |
| Ширина | 4.83 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Width | 4.83(Max) |
| Package Height | 9.28(Max) |
| Package Length | 10.53(Max) |
| Transistor Type | PNP |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Упаковка | Tube |
| Структура | pnp |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Minimum DC Current Gain | 30@0.3A@10V|10@1A@10V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 40 W |
| Maximum Operating Frequency | 2 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum DC Collector Current | -1 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 350 V dc |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 40000 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 1 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -350 V |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 350 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 10(Min) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 350 |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 40 W |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 1@0.2A@1A |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 350 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 350 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 10 MHz |