Моя заявка (0)
MJE4343G Transistor, 16 A NPN, 160 V, 3-Pin SOT-93

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017482385
Артикул
MJE4343G
Бренд
ON Semiconductor***
Pin Count
3
Вес, г
2
Длина
15.2 mm (Max)
Серия
MJE4343
Цена по запросу
(от 1 080 ₽)
Минимальный заказ: 30 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 16A 160V 125W NPN

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г2
Длина15.2 mm (Max)
СерияMJE4343
Package TypeSOT-93
Высота16.2 - 4 mm (Max)
Ширина4.9 mm (Max)
Mounting TypeThrough Hole
Transistor TypeNPN
УпаковкаTube
Структураnpn
Вид монтажаThrough Hole
Minimum DC Current Gain15
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation125 W
Maximum Operating Frequency1 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокTO-247-3
Maximum DC Collector Current16 A
Maximum Emitter Base Voltage7 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage160 V
Maximum Collector Emitter Voltage160 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности125 W
Размер фабричной упаковки30
Напряжение эмиттер-база (VEBO)7 V
Непрерывный коллекторный ток16 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)160 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.160 V
Максимальный постоянный ток коллектора16 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер3.5 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)15
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)1 MHz

Техническая документация